繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb(64GB)，TLC。

SK海力士透露，閃存單元架構(gòu)為CTF(電荷捕獲)，同時集成了PUC技術(shù)。

4D閃存是SK海力士自己的說法，此番的176層更是被稱之為第三代，每片晶圓可以切割更多有效的閃存硅片。

除了容量增加35%，閃存單元的讀取速度也提升了20%，使用加速技術(shù)可使得傳輸速度加快33%到1.6Gbps。

SK海力士預(yù)計相關(guān)產(chǎn)品明年年中上市，目前主控廠商已經(jīng)在測試樣品，預(yù)計會在手機(jī)閃存領(lǐng)域首發(fā)，目標(biāo)是70%的的讀速提升和35%的寫速提升，后續(xù)還會應(yīng)用到消費級SSD和企業(yè)產(chǎn)品上。

另外，SK海力士已經(jīng)表示，正在開發(fā)1Tb(128GB)容量的176層4D閃存。

顯然，今后手機(jī)可以在更緊湊的空間內(nèi)做到大容量ROM空間了。

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