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英睿達DDR5-4800 SO-DIMM內(nèi)存簡評:CL40延遲 安裝步驟簡易

發(fā)布時間:2022-08-04 15:13:33  |  來源:驅(qū)動之家  

SO-DIMM是專為筆記本內(nèi)存設(shè)計的形態(tài),比起桌面上常見的DIMM更小巧,大約只有一半,也將常用于ITX迷你主機、NUC迷你機這類內(nèi)部空間并不充裕的產(chǎn)品當中。

規(guī)格上,英睿達DDR5-4800記本內(nèi)存的默認頻率是標準的4800MHz頻時序為40-39-39-76,電壓從原本DDR4的1.2V降低至1.1V,減輕了筆記本功耗上的負擔。

值得一提的是,DDR5內(nèi)存的電源管理部分從主板移至內(nèi)存上,并專門配置了一個PMIC,可以有效控制系統(tǒng)的電源負載,同時降低噪聲干擾。

英睿達的DDR5-4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存16GB套裝包裝盒上面的參數(shù)簡略介紹了該內(nèi)存的規(guī)格,時序為CL40、工作電壓1.1V。

內(nèi)存正面的貼紙上有條形碼、產(chǎn)品序列號,以及內(nèi)存的規(guī)格等信息。

DDR5 SO-DIMM的引腳為262個,比DDR4 SO-DIMM多了2個引腳。

英睿達這根筆記本內(nèi)存采用的是單面內(nèi)存顆粒布局,單顆2GB、共4個,組成了總?cè)萘康膯胃?GB的容量。

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