根據韓媒報道，三星在下一代閃存芯片的開發中取得重大進展，第七代 V NAND 閃存芯片將達到 176 層，并將于明年 4 月實現量產。這將是業界首個高于 160 層的高級別的 NAND 閃存芯片，三星將因此再次拉開與競爭對手的技術差距，維持自 2002 年以來一直在全球 NAND 閃存市場中排名第一的地位。

相比于上一代閃存，第七代閃存在堆棧上取得明顯的進步。三星的第六代 NAND 閃存是 128 層，于今年 6 月開始量產，而第七代閃存將達到 176 層，盡管并沒有達到其最初計劃的 192 層，但依然有著明顯的進步。

據悉，第七代 NAND 閃存采用了 “雙堆棧”技術，這是一種可以將通孔分成兩部分的，以便電流通過電路的方法。過去的單堆棧只能有一部分通孔，隨著堆棧層數的增多，工藝也隨之改進。

今年 6 月，三星宣布將投資約 9 萬億韓元在位于韓國京畿道平澤工廠的 2 號線建設新的 NAND 閃存芯片生產設施，以擴大 NAND 閃存的生產線，并預計該設施將于 2021 年下半年投入運營。三星表示，將在新地點大規模生產尖端 NAND 存儲芯片，可能比原計劃更早開始量產第七代 NAND 閃存芯片。

與 ARAM 相比，NAND 閃存是更具代表性的存儲芯片，且其存儲容量隨著堆棧數的鄭家而增加，因此堆棧的層數也被視為 NAND 閃存的核心競爭力。

三星一直通過減少集成電路的線寬來提高存儲芯片的性能和容量，引領高級 NAND 閃存的開發。

自 2006 年以來，三星一直研究 3D NAND 閃存。在存儲芯片的發展過程中，隨著存儲數據的單元變小，當線寬小于 10nm 時，便容易受到單元同單元之間的干擾，而 3D NAND 閃存能夠垂直放置在平面中排列的單元，以減少單元間的干擾。這是一種通過像公寓一樣垂直堆疊現有平面結構 NAND 來增加存儲容量的方法，在業界被稱之為 3D NAND 閃存，被三星獨立命名為 V NAND。

2013 年，三星成功量產了世界上第一個三維單元結構的 V NAND 閃存，從而改變了技術范式。當時許多人對 V NAND 閃存的商業化表示懷疑，不過現在所有的存儲芯片公司都在展開激烈的 3D NAND 閃存競爭。長江存儲的 128 層 3D NAND 閃存已于今年宣布量產，英特爾也有今年發布了 144 層 3D NAND 閃存，SK 海力士目前處于 176 4D NAND 研究階段，此外還有西部數據(Western Digital)和鎧俠(Kioxia)等公司也在競爭之列。

在第一代(24 層)V NAND 閃存商業化之后，三星持續增加堆棧層，目前已經發展到第二代(32 層)、第三代(48 層)、第四代(64/72 層)、第五代(92/96 層)和第六代(128 層)。通常更新一代，需要 1 到 2 年時間。

三星于去年 8 月完成 128 層 V NAND 閃存的開發，并實現量產。當時，三星宣布已經向全球 PC 公司提供了基于第六代 NAND 閃存的企業 PC 固態驅動器(SSD)。

在 NAND 閃存市場上，三星一直業界領先。去年，三星以 165.17 億美元的銷售額占據全球市場的 35.9%，在 NAND 閃存市場中排名第一，持續自 2002 年以來的領先地位。

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