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智新半導(dǎo)體IGBT生產(chǎn)線產(chǎn)量已穩(wěn)定 二期建成后年產(chǎn)能將再提升

發(fā)布時(shí)間:2021-08-16 15:12:48  |  來源:驅(qū)動(dòng)之家  

日前,從東風(fēng)汽車官方獲悉,自7月7日智新半導(dǎo)體IGBT生產(chǎn)線正式投入量產(chǎn)以來,每日產(chǎn)量穩(wěn)定在150只左右。

根據(jù)規(guī)劃,智新半導(dǎo)體建成的一期年產(chǎn)能30萬只,二期建成后年產(chǎn)能120萬只,極大緩解對(duì)國(guó)外的依賴程度。

IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,與MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)功能相似,可控制的電壓范圍更高。

它是新能源汽車電動(dòng)系統(tǒng)的核心組成,能直接控制全車交直流轉(zhuǎn)換、功率調(diào)控等核心指標(biāo)。

當(dāng)前,我國(guó)車規(guī)級(jí)IGBT約占全球市場(chǎng)份額30%以上,中高端IGBT主流器件市場(chǎng)被歐美日企業(yè)壟斷。

為解決功率半導(dǎo)體器件“卡脖子”問題,東風(fēng)公司與中國(guó)中車2019年6月合資成立,智能半導(dǎo)體有限公司,開始自主研發(fā)生產(chǎn)車規(guī)級(jí)的IGBT芯片模塊,旨在打破歐美日企業(yè)在中高端IGBT市場(chǎng)的壟斷地位。

關(guān)鍵詞: 東風(fēng) IGBT模塊

 

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