獵云網3月3日消息，蘇州晶湛半導體有限公司（以下簡稱“晶湛半導體”）宣布完成數億元B+輪戰略融資，本輪融資由歌爾微電子領投，高瓴創投、惠友資本、創新工場、禾創致遠、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投，老股東元禾控股、湖杉資本等繼續加碼。

據報道，晶湛半導體的本輪融資資金將主要用于公司總部和研發中心的建設，目標建成國際一流、國內首屈一指的氮化鎵電力電子、射頻電子以及微顯示材料研發生產基地，有助于推動晶湛半導體進入新的發展階段。

公司官網顯示，晶湛半導體成立于2012年3月，致力于為微波射頻和電力電子器件應用領域提供高品質氮化鎵外延材料。2013年8月，晶湛半導體開始在蘇州納米城建設國際先進的GaN外延材料生產線，可年產150mm氮化鎵外延片2萬片。而后，該公司曾于2014年底，率先在全球首次發布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產品。

根據智慧芽數據顯示，晶湛半導體目前共有280余件專利申請，其中授權發明專利超過70件，公司專利布局主要與氮化物、硅襯底等領域相關。

另據智慧芽此前發布的《第三代半導體氮化鎵(GaN)技術洞察報告》顯示，全球在氮化鎵產業已申請16萬余件專利。目前，中美日三國為氮化鎵技術的熱點布局市場，其中美日起步早，而中國則后起發力強勁，近幾年保持持續高漲趨勢。

關鍵詞： 晶湛半導體完成數億元戰略融資 深入研發氮化鎵外延材