2019年9月份，合肥長鑫量產(chǎn)了國內(nèi)首款DDR4內(nèi)存芯片，這兩年來已經(jīng)在多個國產(chǎn)內(nèi)存品牌中商用。
根據(jù)資料，合肥長鑫集成電路制造基地項目總投入超過2200億元，選址位于合肥空港經(jīng)濟示范區(qū)，由長鑫12吋存儲器晶圓制造基地(以下簡稱“基地”)、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園、空港國際小鎮(zhèn)三個片區(qū)組成。
截至2020年底，合肥長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目提前達到4萬片/月產(chǎn)能，今年3月份開始啟動6萬片/月產(chǎn)能建設(shè)，實現(xiàn)了從投產(chǎn)到量產(chǎn)再到批量銷售的關(guān)鍵跨越。
內(nèi)存技術(shù)上，長鑫量產(chǎn)的第一代DDR4/LPDDR4芯片是19nm工藝，此前一直沒有公布具體細節(jié)，日前兆易創(chuàng)新在一次會議上透露長鑫的19nm工藝良率已達75%。
75%的良率在業(yè)內(nèi)不算頂尖，不過考慮到長鑫生產(chǎn)內(nèi)存不到2年時間，現(xiàn)在的良率表現(xiàn)已經(jīng)不錯了，制造出來還是能保證毛利的。
此外，長鑫的第二代內(nèi)存升級到了17nm工藝，具體良率沒公布，但目前會比較低，還在爬升中。
