日前，ASML產品營銷總監Mike Lercel向媒體分享了EUV(極紫外)光刻機的最新進展。
ASML現在主力出貨的EUV光刻機分別是NXE：3400B和3400C，它們的數值孔徑(NA)均為0.33，日期更近的3400C目前的可用性已經達到90%左右。
預計今年年底前，NXE：3600D將開始交付，30mJ/cm2下的晶圓通量是160片，比3400C提高了18%，機器匹配套準精度也增加了，它預計會是未來臺積電、三星3nm制程的主要依托。
在3600D之后，ASML規劃的三代光刻機分別是NEXT、EXE：5000和EXE:5200，其中從EXE：5000開始，數值孔徑提高到0.55，但要等待2022年晚些時候發貨了。
由于光刻機從發貨到配置/培訓完成需要長達兩年時間，0.55NA的大規模應用要等到2025~2026年了，服務的應該是臺積電2nm甚至1nm等工藝。
0.55NA比0.33NA有著太多優勢，包括更高的對比度、圖形曝光更低的成本、更高的生產效率等。
當然，硅片、曝光潔凈室逼近物理極限，也是不容小覷的挑戰。現今5nm/7nm光刻機已然需要10萬+零件、40個集裝箱，而1nm時代光刻機要比3nm還大一倍左右，可想而知了。
